Event calendar file
7-10 November 2022
Japan timezone
Belle II実験シリコンストリップ検出器の電⼦線照射を用いた放射線損傷測定
Presented by 文彰 男谷
on
7 Nov 2022
from
17:00
to
17:20
Session:
Presentations
Description
Belle II 実験ではSuperKEKB 加速器を⽤いて⽣成された粒⼦の崩壊点検出のために、シリコンストリップ検出器（SVD）を使⽤している。センサーに逆電圧をかけ、センサー内部を空乏化させることによって、粒⼦のセンサーでの通過点を知ることができ、粒⼦の⾶跡をトラッキングする。これによって崩壊点の再構成を可能とする。 将来SuperKEKB は増強を⾏い、ビームルミノシティを向上させることが予定されており、それに伴いビームバックグラウンドの増⼤が予想される。⽬標ルミノシティで10年間運転すると、SVD 最内層で累積約20 kGy の放射線量となる。バックグランド放射線によって、リーク電流の増⼤やセンサー内部のn 型半導体がp 型に変化するType inversion が起こり、センサーを完全に空乏化させるに必要な電圧の変化やノイズの増⼤等、性能の劣化が考えられる。そのため、センサーの放射線耐性評価が重要な課題である。 今年7月に東北大学電子光理学研究センターで90 MeV電子線を用いてセンサーに照射を行い、センサーの放射線耐性を評価した。その結果について発表する。
